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Casa > Prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > PDTB123TS,126

PDTB123TS,126

NXP Semiconductors / Freescale

  • BT149G,126.jpg
  • TISP4082F3LMR-S.jpg
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Numero di parte PDTB123TS,126
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 8178 pcs
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Numero di parte PDTB123TS,126
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 8178 pcs
Scheda dati PDTB123T Series
Foto del prodotto PDTB123TS,126-001.jpg , PDTB123TS,126-002.jpg
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3
Serie -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 500mW
imballaggio Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi 934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA
Numero di parte base PDTB123
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